半導体レーザ

Semiconductor laser

Abstract

【課題】高次モード・キンクの発生を抑えて高出力化の達成が可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】下部クラッド層2、活性層4、上部クラッド層6、およびコンタクト層7がこの順に積層され、コンタクト層7および上部クラッド層6の上層が凸条のストライプリッジ構造に成形されたリッジ部aを備えている。そして、リッジ部a脇の上部クラッド層6の上面からリッジ部aの側壁までが、埋め込み膜b1によって覆われている。この埋め込み膜b1は、第1低屈折率層11,発振波長のレーザ光を吸収する光吸収層12,第2低屈折率層13、光吸収層を兼ねる酸化防止層14をこの順に積層させた積層構造となっている。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser where occurrence of a higher mode kink is suppressed and high output is realized. SOLUTION: A lower clad layer 2, an active layer 4, an upper clad layer 6, and a contact layer 7 are laminated in this order. Upper layers of the contact layer 7 and the upper clad layer 6 have a ridge (a) formed in a stripe ridge structure of a convex bar. A part from an upper face of the upper clad layer 6 at the side of the ridge (a) to the side wall of the ridge (a) is covered with a built-in film b1. The built-in film b1 has a laminated structure laminating a first low refractive index layer 11, an optical absorption layer 12 which absorbs a laser beam of an oscillation wavelength, a second low refractive index layer 13, and an antioxidant layer 14 which serves as an optical absorption layer. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

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Patent Citations (3)

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    JP-2005019953-AJanuary 20, 2005Samsung Electro Mech Co Ltd, 三星電機株式会社Semiconductor laser diode with higher-order mode absorbing layer

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    JP-2014078567-AMay 01, 2014Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社Semiconductor laser device